Тайминги памяти

  Чем отличаются модули памяти? Многие пользователи думают, что DDR400 всегда на много быстрее, чем DDR333. В общем, это правда, но далеко не все знают, что модули с одинаковой частотой DDR могут сильно отличаться по производительности. В первую очередь, производительность модулей памяти зависит от так называемых «таймингов памяти».

  Существует множество различных параметров, которые задают тайминги памяти, но чаще всего используются четыре из них: CAS Latency, RAS-CAS задержка (tRCD), RAS Precharge (tRP) и tRAS (продолжительность цикла). Если вы увидите на модулях обозначения “2.0-2-2-5” или “3.0-4-4-7”, можете не сомневаться, это упомянутые четыре параметра. Выясним, что представляет собой каждый из них.

  CAS Latency – это задержка в тактах между получением команды чтения и окончанием ее выполнения. Стандартные значения для памяти DDR – 2 и 2,5 такта. В некоторых системах возможны значения 3 или 1,5. Например, CAS Latency 2 означает, что данные будут получены только через два такта после получения команды Read.

  Задержка RAS-CAS известна как tRCD. Это задержка в тактах между получением команды Active и выполнением следующей за ней команды Read или Write (чтения или записи). Обычно, это 2, 3 или 4 такта.

  RAS Precharge или tRP. Это задержка в тактовых циклах с момента получения команды Precharge до возможности выполнения следующей за ней команды Active. Обычные значения для этого параметра 2, 3 или 4 такта.

  tRAS отображает минимальную задержку между командами Active и Precharge. Измеряется тоже в тактах и обычно имеет значение от 5 до 10.

  Четверку этих параметров, как правило, можно изменять в разделе BIOS “Advanced Chipset”, но вполне возможно, что производители вашей материнской платы решили поместить эти настройки куда-нибудь в другой раздел. Вы уже могли заметить, что это задержки, поэтому, чем меньше значения таймингов, тем выше производительность памяти. Например, модуль с латентностью CAS 2,5 должен работать лучше, чем с латентностью 3,0.