EDD2516KCTA от Elpida

  Японская компания Elpida представила образцы 256 Мбит компонентов DDR SDRAM, выполненных с использованием проприетарной технологии Super Self Refresh (SSR), позволяющей достичь 95% снижения тока саморегенерации (IDD6) – в целях увеличения времени жизни аккумулятора портативных бытовых электронных устройств. SSR позволяет увеличить внутренний интервал обновления за счет работы с цепью Error Correction Circuit (ECC).

  Основной «секрет фокуса» заключается в увеличении временных интервалов между циклами обновления и использовании внутренних схем коррекции ошибок, контролирующих, и, при необходимости, корректирующих возможные одиночные ошибки. Используя встроенный в микросхемы термодатчик, ATCSR, SSR автоматически регулирует период саморегенерации при разных температурах. Технология SSR реализует схему термокомпенсации силы тока обновления в зависимости от температуры: среднее значение силы тока при температуре 25 градусов равно 40 мкА, при 70 – 150 мкА, при 85 – 250 мкА, что составляет примерно одну двадцатую часть от значений, которые наблюдаются в типичных модулях DRAM. Утверждается, что производительность при этом не страдает.

  256 Мбит компоненты Elpida с SSR представлены моделями EDD2516KCTA-5C, EDD2516KCTA-6B, EDD2516KCTA-7A, имеют организацию 4M words x 16 bits x 4 bank. Решения соответствуют требованиям JEDEC (пропускная способность – до 400 Мбит/с, напряжение питания – 2,5 В, CAS Latency (CL) 2/ 2,5/ 3, длина пакета (Burst Length (BL)) 2, 4, 8. Микросхемы выполнены с использованием норм 0,11-мкм техпроцесса, предлагаются в 66-контактных пластиковых TSOP-корпусах.